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亚博三星量产7nm EUV与台积电一较高下

发布时间:2019-02-05 作者:亚博

三星前不久发布的2018年Q4季度财报指引显示三星当季盈利会大幅下滑,同比跌减少9%,环比减少38.5%,而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手机业务低迷,还有最关键的存储芯片降价,这个趋势会一直持续到今年上半年。

为了弥补存储芯片降价周期带来的影响,三星早就开始强化代工业务了,要赶超台积电,而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说,他们今年下半年会量产7nm EUV工艺,2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。

Tomshardware网站报道,三星晶圆代工业务市场副总Ryan Sanghyun Lee表示三星从2002年以来一直在开发GAA( Gate-All-Around)技术,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能。

根据他的消息,三星将在2021年量产3nm GAA工艺。

去年底,三星宣布将在2020年使用4nm GAA工艺。业内观察人士,如Garner副总裁Samuel Wang对2022年之前量产GAA技术表示怀疑,不过他现在也说三星看起来可能比预期更早地将GAA芯片投入生产。

只不过三星关于3nm GAA工艺何时量产的说法似乎并没有一个统一的表态,三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung去年12月在IEDM会议上表示三星已经完成了3nm工艺技术的性能验证,并且在进一步完善该工艺,目标是在2020年大规模量产。

3nm GAA工艺不论是在2020年还是2021年量产,现在都还有点远,三星今年主推的是7nm EUV工艺,预计今年下半年量产——尽管三星去年就宣布7nm EUV工艺能够量产了,实际上之前所说的量产只是风险试产,远没有达到 规模量产的底部,今年底量产才是有可能的。

在7nm EUV工艺上,台积电之前也宣布今年量产,看起来三星的进度优势也没有了,不过三星在7nm EUV工艺上有自己开发的光罩检查工具,而其他家还没有类似的商业工具。

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